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VDW Verein Deutscher Werkzeugmaschinenfabriken e.V.
22.07.2021
ROHM erzielt mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V technologischen Durchbruch bei 150 V GaN HEMTs
Problemlösung der Gate-Durchbruchspannung von GaN-Bauelementen senkt Stromverbrauch und ermöglicht weitere Miniaturisierung von Stromversorgungen für Basisstationen und Rechenzentren
https://www.rohm.de/news-detail?news-title=rohm-erzielt-mit-hoher-gate-durchbruchspannung-von-8-v-technologischen-durchbruch-bei-150-v-gan-hemts&defaultGroupId=false